Positive E-Beam Resist AR-P 6200series (CSAR 62)
High resolution high contrast EBL resists for integrated circuit & masksProduct Brief 產品概述:
AR-P 6200系列產品為正型電子束微影阻劑,解析度10nm以下(最佳6nm). 調整顯影製程,可獲得較高敏感度
製程穩定性高,耐電漿蝕刻(plasma etching). 高對比(>15), 在高膜厚應用時,深寬比可高達18. (膜厚180nm,解析度10nm).
AR-P 6200系列 主成份:
共聚物 poly(α-methylstyrene-co-methyl chloroacrylate) α-甲基苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯,及anisole solvent苯甲醚溶劑.
AR-P 6200屬斷鏈型阻,產品配方已不含光酸產生劑(photoacid generator),產品更穩定,有效期限也更長.
產品系列目前有:
