AR-P 617 Positive eBeam Lithography Resist

Resists for nanometer lithography, highest resolution, Copolymer 33% MA

產品概述:

AR-P 617 系列產品高分子是MMA(甲基丙烯酸甲酯)與MA(甲基丙烯酸)共聚物 poly(MMA-co-MA, MA 33%).溶劑為PGME.

產品為正型阻劑,適合各種電子束微影製程, 應用於光罩製作,積體電路等高精密圖案製程(multilayer & planarization),對玻璃, 矽晶元,金屬等,有良好的接著性.

此系列產品過慮規格為0.2um.

由於共聚物及組合成份的化學特性,其敏感性(sensitivity)是PMMA阻劑的3-4倍. 同時其對比性(contrast)也優於PMMA阻劑.

顯影後的阻劑結構在240℃能有良好的安定性.(thermal-stability).

系列產品,最低固型份含量, 可降低膜厚到30nm. 適合奈米等級微影.

產品包裝:

250 ml /瓶

1 L /瓶

其它包裝可依客戶需求增加.

出貨: ☑️ 2 - 4 週. 徳國運出

🔲 1 週. 國內庫存